La memoria DDR5 llamó la atención con el debut de los nuevos procesadores Alder Lake, pero pasará un tiempo antes de su adopción masiva. Claro, esos primeros usuarios se prepararon con anticipación, pero ¿qué tal si Samsung menciona el futuro de la memoria, pensando ya en DDR6, LPDDR6, GDDR6+ y GDDR7?
El gigante surcoreano presentó algunas de las características de las nuevas memorias durante el Samsung Tech Day 2021. Para DDR6, aunque sus especificaciones no pasaron por manos de JEDEC, la web alemana ComputerBase también ofrece algunas pistas sobre sus actuaciones. DDR6 se lanzaría en 2024 y contaría con velocidades de 12.800Mbit/s, con posibilidad de overclocking hasta 17.000Mbit/s, y en cuanto a los bancos de memoria, llegarían a un total de 64, cuatro veces más respecto a las DDR4 ya retiradas. memoria.
Samsung también mencionó su propia iteración de GDDR6, titulada GDDR6+, basada en su arquitectura patentada de 1znm. La nueva variante aumentará la velocidad de 18,00 Mbit/s a 24,000 Mbit/s, es decir, un aumento de rendimiento del 33 % en comparación con los resultados de sus predecesores. A GDDR6+ le seguirá GDDR7, que se dice que introduce protección contra errores en tiempo real y se beneficia de velocidades de hasta 32 000 Mbits/s.
Por el lado de LPDDR6, Samsung afirmó que el principal objetivo es optimizar el consumo, aumentando la eficiencia en un 20%, pero también aumentarán las velocidades, llegando a los 17.000Mbit/s. Al mismo tiempo, el fabricante también reveló planes para las memorias HBM3, aquellas con un ancho de banda de 800 GB/s y HBM2E, aquellas con un ancho de banda de 450 GB/s. Al final, la empresa planeó lanzar las memorias HBM3 para el segundo trimestre del próximo año.